与具有高效能、高褂讪性的红色和绿色QD-LED比拟，蓝色QD-LED稀奇是纯蓝光QD-LED的性能仍是不可称心产业化的条款，破损了全色QD-LED技艺的营业化期骗。蓝色QD-LED存在越过大的空穴注入势垒，导致器件里面载流子注入抗拒衡，空穴堆积和电子泄漏相对红绿色更为严重，严重制约蓝色QD-LED的效能和褂讪性栽种。针对上述问题，申怀彬熏陶与中国科学技艺大学樊逢佳熏陶再次联手调和，磋商团队建议了界面空穴梯度转移的“空穴积聚管控”计谋，通过抗氧化还原反馈缓冲层的引入，转移空穴积聚风险的同期裁减了电子露出，即通过在HTL和QD层之间引入一层抗氧化层PBO，以提高载流子注入均衡及减缓HTL的损坏，完结在100 cd m-2入手亮度下T50寿命越过41，000 h的纯蓝光QD-LEDs，效能达到23.0%。磋商效能以“Stable and Efficient Pure Blue Quantum-Dot LEDs Enabled by Inserting an Anti-oxidation Layer”为题天天影视播放器，发表在《Nature Communications》期刊上（DOI:10.1038/S41467-024-44894-Z）。

该磋商通过在QD/HTL界面处引入具有高电化学褂讪性的PBO抗氧化层以提高HTL的褂讪性，减缓因空穴堆积形成的HTL挫伤。且PBO抗氧化层的价带能级位于QD和HTL之间，群交淫乱不错灵验的减少空穴注入势垒，提高空穴注入并减少载流子在HTL界面的累积（图1）。PBO的引入使器件里面空穴注入更为灵验，走电流得到很好的扼制，减少因空穴堆积形成的器件退化。

图1.引入PBO抗氧化层的优点

基于上述结构瞎想，基于PBO的蓝色QD-LED器件具有愈加均衡的电荷注入，器件效能和褂讪性得到了较好的栽种，具有邃密的轮回褂讪性（图2）。于1000 cd m-2入手亮度下T95寿命为87 h，100 cd m-2入手亮度下的T50使命寿命达到了41，022 h，这是迄今抑制所报说念的寿命最长的纯蓝色QD-LED。

图2.蓝色QD-LED器件褂讪性表征

磋商东说念主员通过C-V和EA等表征技巧测试器件在不同使命时刻的里面电荷分手和电场变化，解释器件退化是由于TFB层损坏，且这种损坏在电场淹没后也不可得到复原。PBO的褂讪性较好，在引入PBO之后裁减了TFB的损坏，进而使器件效能和寿命得到显赫栽种（图3）。

原味

图3.蓝色QD-LED性能增强机制表征

该磋商初度建议了使用抗氧化空穴过渡接纳层栽种HTL褂讪性这一计谋，明确了蓝色器件退化的主要原因，为提高电荷均衡、完结高效能和高褂讪性的蓝色QD-LED提供了新念念路，加快了蓝色QD-LED的发展。

河南大学博士磋商生张爱静、中科大博士磋商生李波、南昌航空大学磋商生常春为共同第一作家；河南大学陈斐博士、中科大樊逢佳熏陶、河南大学申怀彬熏陶为共同通信作家。该磋商得到国度当然科学基金委-区域立异发展纠合基金、科技部要点研发野心、河南大学后生科研团队步地等项筹画维持。

申怀彬，博士，熏陶，博导，2019年国度优秀后生基金获取者，华夏科技立异领军东说念主才，QLED平台泄漏东说念主。一直从事发光量子点材料和量子点电致发光器件（QLED）方面磋商，创下了三基色QLED亮度、效能、寿命多项国外记载。现在共发表SCI论文170余篇，其中以第一/通信作家在Nat. Photonics（2篇）天天影视播放器，Nat. Nanotechnol.（1篇），Nat. Commun.（1篇）， Nano Lett.，Adv. Funct. Mater.，Laser Photonics Rev等国表里闻明杂志上发表80余篇，H-index 45，近五年新增他引4000余次。主握包括要点研发野心、国度当然科学基金-区域纠合要点等在内的国度级步地7项。授权量子点合成及发光器件干系国度专利23项，专利技艺转换7项。